參數(shù)資料
型號(hào)： IXDN55N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： IXDN55N120D1
2000 IXYS All rights reserved
3 - 4
IXDN 55N120
IXDN 55N120 D1
0
200
400
600
800
A/
m
s
1000
0
40
80
120
0
100
200
300
0
1
2
3
4
0
30
60
90
120
A
180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
20
40
60
80
100
120
A
0
50
100
150
200
250
0
5
10
15
20
V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
20
40
60
80
100
120
A
13V
11V
T
J
= 25
°
C
V
GE
=17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 50A
15V
5
6
7
8
9
10
11
0
20
40
60
80
100
120
A
13V
11V
V
GE
=17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 25
°
C
9V
9V
V
CE
V
I
C
V
CE
I
C
V
V
V
V
GE
V
F
I
C
I
F
nC
Q
G
-di/dt
V
GE
A
I
RM
t
rr
ns
IXDN55N120
T
J
= 125
°
C
V
R
= 600V
I
F
= 50A
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
I
RM
t
rr
Fig. 1
Typ. output characteristics
Fig. 2
Typ. output characteristics
Fig. 3
Typ. transfer characteristics
Fig. 4
Typ. forward characteristics of
free wheeling diode
Fig. 5
Typ. turn on gate charge
Fig. 6
Typ. turn off characteristics of
free wheeling diode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDN75N120 High Voltage IGBT
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
IXDP630 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
IXDP631 Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXDN602D2TR 功能描述:IC GATE DVR 2A DUAL HS 8DFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
IXDN602PI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SI 功能描述:MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:半橋 輸入類型:PWM 延遲時(shí)間:25ns 電流 - 峰:1.6A 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:118V 電源電壓:9 V ~ 14 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M
IXDN602SIA 功能描述:DUAL LOW SIDE MOSFET DRIVER RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨(dú)立 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDN602SIATR 功能描述:2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
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