參數(shù)資料
型號： IXDN55N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode
中文描述： 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： IXDN55N120D1
2000 IXYS All rights reserved
4 - 4
Fig. 7
Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
Fig. 8
Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
Fig. 9
Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
0
20
40
60
80
100
0
6
12
18
24
0
30
60
90
120
0
20
40
60
80
I
C
100
0
2
4
6
8
10
12
mJ
0
100
200
300
400
500
600
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
2
4
6
8
10
0
300
600
900
1200
1500
ns
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
5
10
15
20
mJ
0
60
120
180
240
ns
single pulse
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
IXDN55N120
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125
°
C
0
200
400
600
800
1000 1200
V
CE
0
20
40
60
80
100
120
A
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
R
G
= 22
W
T
J
= 125
°
C
E
on
V
CE
= 600V
V
GE
= ±15V
I
C
= 50A
T
J
= 125
°
C
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
E
on
t
d(on)
t
r
E
off
t
d(off)
t
f
I
C
A
A
E
off
mJ
E
on
ns
t
ns
t
R
G
W
R
G
W
t
s
E
on
mJ
E
off
t
t
I
CM
K/W
Z
thJC
IGBT
diode
V
IXDN 55N120
IXDN 55N120 D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXDN75N120 High Voltage IGBT
IXDP610 Bus Compatible Digital PWM Controller, IXDP 610
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IXDP630PI Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls
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參數(shù)描述
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IXDN602SIATR 功能描述:2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件
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