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參數(shù)資料
| 型號： | IXDP631PI |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 模擬信號調(diào)理 |
| 英文描述： | Inverter Interface and Digital Deadtime Generator for 3-Phase PWM Controls |
| 中文描述： | SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDIP18 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-18 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | IXDP631PI |
I - 15
1998 IXYS All rights reserved
IXDP630
IXDP631
Symbol
Definition
Maximum Ratings
max.
min.
V
CC
V
IN
I
IN
V
0
I
0
T
stg
T
L
Supply Voltage
DC Input Voltage
DC Input Current
-0.5
-0.5
-1
7
V
V
V
CC
+ 0.5
1
mA
DC Output Voltage
DC Output Current
0.5
-25
V
CC
+ 0.5
V
25
mA
Storage Temperature
Lead Soldering (max. 10 s)
-55
150
300
°
C
°
C
Recommended Operating Conditions
V
CC
T
J
l
0
f
OSC
Supply Voltage
Operating Temperature
Output Current
Oscillator Frequency
4.5
-40
-8
5.5
85
V
°
C
mA
MHz
8
0.001
16/24
Symbol
Definition/Condition
Characteristic Values
typ.
min.
max.
V
t+
V
t-
V
HYS
I
in
C
in
V
oh
V
ol
I
CC
I
CCQ
Input Hi Threshold
Input Lo Threshold
Hysteresis
3.6
2.7
1.6
1.1
V
V
V
0.8
Input Leakage Current
-10
10
μ
A
Input Capacitance
5
10
pF
Output High Voltage l
o
= -8 mA
Output Low Voltage l
o
=
2.4
V
V
8 mA
0.4
Supply Current Outputs Unloaded
Quiescent Current Outputs
Unloaded IXDP630
Quiescent Current Outputs
Unloaded IXDP631
5
mA
mA
0.4
1
I
CCQ
1
10
μ
A
DP630 Oscillator Section
C
OSC
R
OSC
f
OSC
Capacitor (RCIN to GND)
Resistor (OSCOUT to RCIN)
Frequency Range
0.047
10
nF
k
1
1000
0.001 - 16
MHz
Initial Tolerance (f
≤
1MHz)
Temperature Coefficient
5
%
-400
ppm/
°
C
DP631 Oscillator Section
f
OSC
V
INH
V
INL
Frequency Range
Oscillator Thresholds (IXTLIN)
0.1-24
MHz
3.9
0.8
V
V
External Oscillator
f
IN
t
SX
t
SC
t
hold
t
pdro
t
pdeo
Frequency Range (ODCOUT open)
0-24
MHz
Set Up Time DATA-to-XTLIN
Set Up Time DATA-to-OSCIN
Hold Time CLOCK-Data
Propagation Delay RESET-to-OUTPUT
Propagation Delay ENABLE-to-OUTPUT
14
22
0
n
S
ns
ns
ns
ns
15
8
20
16
Dimensions in inch (1" = 25.4 mm)
16-Pin Plastic DIP
t
pdeo
t
pdro
t
hold
t
SC
t
SX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDR30N120 | High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
| IXDR30N120D1 | High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package |
| IXEN60N120 | NPT IGBT |
| IXEN60N120D1 | NPT IGBT |
| IXER35N120D1 | NPT3 IGBT with Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXDR30N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR30N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR35N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR502D1B | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXDS430 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
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