參數資料
| 型號： | IXDP631PI |
| 廠商： | IXYS |
| 文件頁數： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC GENERATOR DGTL DEADTIME 8PDIP |
| 標準包裝： | 21 |
| 應用： | PWM 電機控制器 |
| 接口： | 微處理器 |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 封裝/外殼： | 18-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應商設備封裝： | 18-DIP |
| 包裝： | 管件 |
| 安裝類型： | 通孔 |
I - 15
1998 IXYS All rights reserved
IXDP630
IXDP631
Symbol
Definition
Maximum Ratings
min.
max.
V
CC
Supply Voltage
-0.5
7
V
V
IN
DC Input Voltage
-0.5
V
CC + 0.5
V
I
IN
DC Input Current
-1
1
mA
V
0
DC Output Voltage
0.5
V
CC + 0.5
V
I
0
DC Output Current
-25
25
mA
T
stg
Storage Temperature
-55
150
°C
T
L
Lead Soldering (max. 10 s)
300
°C
Recommended Operating Conditions
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.5
V
T
J
Operating Temperature
-40
85
°C
l
0
Output Current
-8
8
mA
f
OSC
Oscillator Frequency
0.001
16/24 MHz
Symbol
Definition/Condition
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
t+
Input Hi Threshold
3.6
2.7
V
V
t-
Input Lo Threshold
1.6
0.8
V
V
HYS
Hysteresis
1.1
V
I
in
Input Leakage Current
-10
10
A
C
in
Input Capacitance
5
10
pF
V
oh
Output High Voltage l
o = -8 mA
2.4
V
V
ol
Output Low Voltage l
o =
8 mA
0.4
V
I
CC
Supply Current Outputs Unloaded
5
mA
I
CCQ
Quiescent Current Outputs
0.4
1
mA
Unloaded IXDP630
I
CCQ
Quiescent Current Outputs
1
10
A
Unloaded IXDP631
DP630 Oscillator Section
C
OSC
Capacitor (RCIN to GND)
0.047
10
nF
R
OSC
Resistor (OSCOUT to RCIN)
1 1000
k
f
OSC
Frequency Range
0.001 - 16
MHz
Initial Tolerance (f
OSC ≤ 1MHz)
5
%
Temperature Coefficient
-400
ppm/°C
DP631 Oscillator Section
f
OSC
Frequency Range
0.1-24
MHz
V
INH
Oscillator Thresholds (IXTLIN)
3.9
V
V
INL
0.8
V
External Oscillator
f
IN
Frequency Range (ODCOUT open)
0-24
MHz
t
SX
Set Up Time DATA-to-XTLIN
14
nS
t
SC
Set Up Time DATA-to-OSCIN
22
ns
t
hold
Hold Time CLOCK-Data
0
ns
t
pdro
Propagation Delay RESET-to-OUTPUT
15
20
ns
t
pdeo
Propagation Delay ENABLE-to-OUTPUT
8
16
ns
Dimensions in inch (1" = 25.4 mm)
16-Pin Plastic DIP
t
pdeo
t
pdro
t
hold
t
SC
t
SX
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JLC1562BFG | IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOEIAJ |
| KMC68EN302AG25BT | IC MPU QUICC 25MHZ 144-LQFP |
| KMC68LC302AF25CT | IC MPU QUICC 25MHZ 100-TQFP |
| KMC7448THX1400ND | IC MPU 128BIT 1400MHZ 360-FCCBGA |
| KMC7448VU1267ND | IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IXDR30N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR30N120D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR35N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXDR502D1B | 功能描述:功率驅動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IXDS430 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
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