參數(shù)資料
型號： IXDR30N120D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with optional Diode ISOPLUSTM package
中文描述： 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXDR30N120D1
2000 IXYS All rights reserved
2 - 4
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
1650
250
110
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 30 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
120
nC
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
100
70
500
70
4.6
3.4
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
R
thJC
R
thCH
0.6 K/W
Package with heatsink compound
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 30 A, V
= ±15 V,
V
CE
= 600 V, R
G
= 47
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Conditions
typ.
max.
V
F
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 30 A, V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
2.5
2.0
2.7
V
V
I
F
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
50
27
A
A
I
RM
t
rr
I
F
= 30 A, -di
F
/dt = 400 A/μs, V
R
= 600 V
V
GE
= 0 V, T
J
= 125°C
20
A
200
ns
t
rr
I
F
= 1 A, -di
F
/dt = 100 A/μs, V
R
= 30 V, V
GE
= 0 V
40
ns
R
thJC
1.3 K/W
!
"
"
#
$
!
%
&
!
'( )**+
!*,)+
***
IXDR 30N120 D1
IXDR 30N120
相關PDF資料
PDF描述
IXEN60N120 NPT IGBT
IXEN60N120D1 NPT IGBT
IXER35N120D1 NPT3 IGBT with Diode
IXER60N120 NPT3 IGBT
IXFA4N100Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXDR35N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXDR502D1B 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
IXDS430SI 功能描述:功率驅(qū)動器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXDS502D1B 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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