參數(shù)資料
型號(hào)： IXFC80N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： HiPerFETTM MOSFET ISOPLUS220
中文描述： 80 A, 100 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： IXFC80N10
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= I
T
Notes 1, 2
35
55
S
C
iss
C
oss
C
rss
4800
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
1675
pF
590
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
50
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
,
I
D
= 0.5 I
D25
, R
G
= 2.5
(External)
75
ns
95
ns
31
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
180
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
T
Notes 2
42
nC
75
nC
R
thJC
R
thCK
0.54
K/W
0.3
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
80
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
320
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
Note 1
1.5
V
t
rr
200
ns
Q
RM
0.5
μ
C
I
RM
6
A
I
F
= 25A
-di/dt = 100 A/
μ
s,
V
R
= 50 V
Note: All terminals are solder plated.
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
ISOPLUS220 OUTLINE
Note: 1. Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
2. I
T
= 40A
IXFC 80N10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
IXFC96N15P 功能描述:MOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE180N10 功能描述:MOSFET 176 Amps 1000V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE180N20 功能描述:MOSFET 180 Amps 200V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE23N100 功能描述:MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFE24N100 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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