參數(shù)資料
型號： IXFH12N100Q
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.05Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 12 A, 1000 V, 1.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： IXFH12N100Q
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
GS
- Volts
3
4
5
6
7
I
D
0
2
4
6
8
10
12
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0
4
8
12
16
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.5
2.0
2.5
I
D
= 6A
I
D
- Amperes
0
4
8
12
16
20
R
D
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
V
DS
- Volts
0
6
12
18
24
30
I
D
0
3
6
9
12
15
V
DS
- Volts
0
4
8
12
16
20
I
D
0
4
8
12
16
20
5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
V
GS
= 10V
T
J
= 25
O
C
6V
5V
T
J
= 25
o
C
I
D
= 12A
T
J
= 25
O
C
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
T
J
= 125
O
C
6V
Figure 2. Output Characteristics at 125
O
C
Figure 1. Output Characteristics at 25
O
C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
Figure 6. Admittance Curves
Figure 3. R
DS(on)
normalized to value at I
D
= 12A
Figure 4. R
DS(on)
normalized to value at I
D
= 12A
IXFH 12N100Q
IXFT 12N100Q
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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IXFH12N120P 功能描述:MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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