參數(shù)資料
型號(hào)： IXFH12N50F
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓500V,導(dǎo)通電阻0.4Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： 12 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 303K
代理商： IXFH12N50F
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
Note 1
6
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
1870
290
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
90
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
11
14
28
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 4.7
(External),
8
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
54
18
25
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.65
K/W
K/W
(TO-247)
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
12
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
48
A
V
SD
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V, Note 1
1.5
V
t
rr
250
ns
Q
RM
0.8
C
I
RM
6.5
A
I
F
= I
S
,-di/dt = 100 A/ s, V
R
= 100 V
Note: 1. Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
P
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
Q
R
S
.216
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Tab - Drain
1 2 3
!
!
"
#
#
#
#
#
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Min Recommended Footprint
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFT12N50F HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
IXFH12N90Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.9Ω的N溝道增強(qiáng)型HiPerFET功率MOSFET)
IXFH13 N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.8Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH10N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH12N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.9Ω的N溝道增強(qiáng)型 HiPerFET功率MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH12N80P 功能描述:MOSFET DIODE Id12 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90 功能描述:MOSFET 900V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH12N90Q 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-268
IXFH13N100 功能描述:MOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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