參數(shù)資料
型號： IXFH13 N90
廠商： IXYS Corporation
英文描述： N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.8Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式HiPerFET功率MOSFET（最大漏源擊穿電壓900V，導(dǎo)通電阻0.8Ω的?溝道增強型HiPerFET功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 85K
代理商： IXFH13 N90
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
IXFH 10N90 IXFH 12N90 IXFH 13N90
IXFM 10N90 IXFM 12N90
Fig.7
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
Fig.9
Capacitance Curves
Fig.10Source Current vs. Source
to Drain Voltage
Fig.11 Transient Thermal Impedance
V
DS
- Volts
1
10
100
1000
I
D
0.1
1
10
Gate Charge - nCoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
2
4
6
8
10
V
SD
- Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.001
0.01
0.1
1
C
rss
C
oss
V
DS
= 450V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
100ms
10ms
1ms
100μs
10μs
Limited by R
DS(on)
C
iss
D=0.5
D=0.2
Single Pulse
f = 1 MHz
V
DS
= 25V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXFH10N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻1.1Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFH12N90 N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.9Ω的N溝道增強型 HiPerFET功率MOSFET)
IXFT13N90 HiPerFET Power MOSFETs
IXFH13N80Q N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻0.70Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET)
IXFT13N80Q HiPerFET Power MOSFETs Q Class
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXFH140N10P 功能描述:MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N100 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N100Q2 功能描述:MOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXFH14N100Q2_08 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFH14N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*