型號: | IXGH28N90B |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | HIPERFAST IGBT |
中文描述: | 51 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 91K |
代理商: | IXGH28N90B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGT28N90B | HIPERFAST IGBT |
IXGH28N30 | HiPerFAST IGBT |
IXGH30B60BD1 | HiPerFASTTM IGBT with Diode |
IXGH30N30 | HiPerFAST IGBT |
IXGH30N60 | Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH2N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IGBT 2500V 5.5A 32W TO247 |
IXGH30B60BD1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFASTTM IGBT with Diode |
IXGH30N120B3 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 1200V IGBTs |
IXGH30N120B3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH30N120BD1 | 功能描述:MOSFET 50 Amps 1200V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |