參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH31N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultra-Low VCE(sat) IGBT
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： IXGH31N60
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
10
16
S
C
ies
C
oes
C
res
1500
130
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
40
Q
g
Q
ge
Q
gc
80
15
30
100
30
40
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
15
25
ns
ns
ns
ns
mJ
400
400
800
800
6
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
25
0.2
800
800
12
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
IXGH 31N60
IXGT 31N60
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
TO-247 AD (IXFH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
L2
1.00
1.15
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.039
.752
.106
.055
.045
.150
.161
TO-268AA (D
3
PAK)
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH32N170 High Voltage IGBT
IXGT32N170 High Voltage IGBT
IXGH32N50BU1 HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
IXGH32N50BU1S HiPerFAST IGBT with Diode Combi Pack
IXGH32N50B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH31N60D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH31N60U1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH32N100A3 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH32N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH32N170 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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