參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH35N120
廠商： IXYS Corporation
英文描述： IGBT Lightspeed Series
中文描述： IGBT的光速系列
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： IXGH35N120
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IGBT
Lightspeed
Series
Advance Technical Information
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi(typ)
= 1200 V
=
4.0 V
= 115 ns
70 A
IXGH 35N120C
IXGT 35N120C
C (TAB)
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
GC
E
TO-247 AD (IXGH)
Features
International standard packages
JEDEC TO-268 surface and
JEDEC TO-247 AD
Low switching losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
High power density
Suitable for surface mounting
Easy to mount with 1 screw,
(isolated mounting screw hole)
98717 (4/18/2000)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
= 0 V
= 750 A, V
CE
= V
GE
1200
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= V
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
250
A
5
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
4.0
V
V
T
J
= 125 C
3.2
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
1200
1200
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
G
= 5
Clamped inductive load
70
35
A
A
A
140
I
= 90
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
Maximum Lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Maximum Tab temperature for soldering SMD devices for 10 s
T
C
= 25 C
300
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
300
C
260
C
M
d
Weight
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
TO-247 AD
TO-268
6
4
g
g
TO-268
(IXGT)
(TAB)
G
E
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGT35N120C IGBT Lightspeed Series
IXGH38N60U1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH38N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT(1.8V超低VCE(sat)的絕緣柵雙極晶體管)
IXGH39N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH36N60A3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH36N60A3D4 功能描述:IGBT 晶體管 36 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH36N60B3 功能描述:IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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