參數資料
型號： IXGH60N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應管)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IXGH60N60
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
I
C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
50
100
150
200
250
300
350
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
I
C
= 60A
I
C
= 120A
V
GE(th)
I
C
= 250μA
BV
CES
I
C
= 250μA
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 125
o
C
R
G
= 4.7
W
dV/dt < 5V/ns
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 5. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 6. Temperature Dependence of
BV
CES
& V
GE(th)
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
IXGH 60N60
IXGK 60N60
IXGT 60N60
相關PDF資料
PDF描述
IXGK60N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGJ50N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGK120N60B HiPerFAST IGBT
IXGX120N60B HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C HiPerFAST IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGH60N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
IXGH60N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH60N60C3D1 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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