型號: | IXGH60N60 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | Ultra-Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極場效應(yīng)管) |
中文描述: | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 95K |
代理商: | IXGH60N60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGK60N60 | Ultra-Low VCE(sat) IGBT |
IXGJ50N60B | HiPerFAST IGBT(VCES為600V,VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管) |
IXGK120N60B | HiPerFAST IGBT |
IXGX120N60B | HiPerFAST IGBT |
IXGK35N120C | HiPerFAST IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH60N60A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247 |
IXGH60N60B2 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 1.8 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH60N60C2 | 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH60N60C3 | 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 600V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH60N60C3D1 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |