參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK50N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 636K
代理商： IXGK50N60C2D1
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGK50N60C2D1
IXGX50N60C2D1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Note 1
= 40 A; V
CE
= 10 V,
40
51
S
C
ies
C
oes
C
res
3700
290
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
50
Q
g
Q
ge
Q
gc
138
25
40
nC
nC
nC
I
C
= 40 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
ns
ns
ns
ns
mJ
115
48
0.38
150
0.7
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
1.4
170
60
0.74
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
0.31 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= 40 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 480 V, R
G
= R
off
= 2.0
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= 40 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 480 V, R
G
= R
off
= 2.0
PLUS247 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
5.45 BSC
19.81
3.81
5.59
4.32
Inches
Min.
.190
.090
.075
.045
.075
.115
.024
.819
.620
.215 BSC
.780
.150
.220 0.244
.170
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
.205
.100
.085
.055
.084
.123
.031
.840
.635
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
20.32
4.32
6.20
4.83
.800
.170
.190
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain (Collector)
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
TO-264 AA Outline
Millimeter
Min.
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46 BSC
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
Inches
Max.
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
Min.
.190
.100
.079
.044
.094
.114
.021
1.020
.780
Max.
.202
.114
.083
.056
.106
.122
.033
1.030
.786
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
.215 BSC
.000
.000
.800
.090
.125
.239
.330
.150
.070
.238
.062
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
.010
.010
.820
.102
.144
.247
.342
.170
.090
.248
.072
Dim.
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 60 A, V
GE
= 0 V,
Note 1
2.1
1.4
V
T
J
= 150
°
C
I
RM
I
F
= 60 A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
T
J
= 100
°
C
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
8.3
A
t
rr
35
ns
R
thJC
0.65 K/W
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX50N60C2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGX60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK50N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK55N120A3H1 功能描述:IGBT 模塊 Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK60N60 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*