參數(shù)資料
型號： IXGK50N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 636K
代理商： IXGK50N60C2D1
2004 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
0
1
2
3
4
V
C E
- Volts
5
6
7
8
9
10
I
C
V
GE
= 15V
13V
5V
7V
9V
11V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
CE
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
6V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
6V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
-
I
C
= 40A
I
C
= 20A
V
GE
= 15V
I
C
= 80A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 80A
40A
20A
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 125oC
25oC
IXGK50N60C2D1
IXGX50N60C2D1
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PDF描述
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IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
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IXGK60N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT w/ Diode 600V 60A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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