參數(shù)資料
型號(hào)： IXGK60N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 630K
代理商： IXGK60N60B2D1
2003 IXYS All rights reserved
IXGK60N60B2D1
IXGX60N60B2D1
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
5V
7V
9V
11V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
1.5
V
CE
- Volts
2
2.5
3
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 100A
50A
25A
Fig. 6. Input Admittance
0
50
100
150
200
250
300
4
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 125oC
-40oC
T
J
= 25oC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
IXGK80N60A HiPerFAST IGBT
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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參數(shù)描述
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