參數(shù)資料
型號： IXGK60N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264AA, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 630K
代理商： IXGK60N60B2D1
2003 IXYS All rights reserved
Fig. 14. Gate Charge
0
3
6
9
12
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
CE
= 300V
I
C
= 50A
I
G
= 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-Off
Switching Time on Temperature
50
100
150
200
250
300
350
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
I
C
= 25A
50A
100A
t
d(off)
t
fi
-
- - - - -
R
G
= 3.3
V
GE
= 15V
V
CE
= 400V
I
C
= 100A
50A
25A
Fig. 16. Maximum Transient Thermal Resistance
0.05
0.075
0.1
0.125
0.15
0.175
0.2
0.225
0.25
0.275
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
IXGK60N60B2D1
IXGX60N60B2D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGX60N60B2D1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGK60N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXGX60N60C2D1 Fast SRAM > Late Write Synchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 36; Memory capacity (bit): 16M; Supply voltage (V): 150; Operating temperature (°C): 1.5; Package: BGA (119)
IXGK80N60A HiPerFAST IGBT
IXGM30N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGK60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGK64N60B3D1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGK72N60A3H1 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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