參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP16N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 535K
代理商： IXGP16N60C2D1
2004 IXYS All rights reserved
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
TAB = Collector
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
V
600
V
V
GES
V
GEM
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
I
C25
I
C110
I
D110
I
CM
T
C
= 25
°
C
T
C
= 110
°
C
T
C
= 110
°
C (IXG_16N60C2D1 diode)
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
G
= 22
Clamped inductive load
40
A
16
A
11
A
100
A
SSOA
(RBSOA)
I
= 32
@0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
150
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
M
d
Mounting torque
(M3.5 screw)
0.55/5 Nm/lb.in.
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Maximum tab temperature
soldering SMD devices for 10s
260
°
C
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
GE(th)
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
2.5
5.0
V
I
CES
V
CE
= V
V
GE
= 0 V
16N60C2
16N60C2D1
25
50
μ
A
μ
A
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
= 12 A
,
V
GE
= 15 V
Note 2
3.0
V
V
T
J
=125
°
C
2.1
DS99142A(3/04)
HiPerFAST
TM
IGBT
C2-Class High Speed
IGBT
IXGA 16N60C2
IXGP 16N60C2
IXGA 16N60C2D1
IXGP 16N60C2D1
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi(typ)
= 600 V
=
40 A
= 3.0 V
=
35 ns
D1
TO-220 (I
XGP
)
GCE
C
(TAB)
C
(TAB)
G
C
TO-263 (I
XGA
)
Advance Technical Information
Features
z
Very high frequency IGBT
z
High current handling capability
z
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
z
PFC circuits
z
Uninterruptible power supplies (UPS)
z
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
z
AC motor speed control
z
DC servo and robot drives
z
DC choppers
Advantages
z
High power density
z
Very fast switching speeds for high
frequency applications
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA7N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGA7N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGH6N170A High Voltage IGBT
IXGT6N170A High Voltage IGBT
IXGP12N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP20N100 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1000V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP20N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP20N120A3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP20N120B 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP20N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*