參數(shù)資料
型號： IXGR12N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 15 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： IXGR12N60C
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
TM
(Electrically Isolated Back Surface)
Preliminary data sheet
G = Gate
E = Source
C = Drain
* Patent pending
IXGR 12N60C
ISOPLUS 247
E153432
GCE
Isolated Backside*
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=
t
fi(typ)
= 600 V
=
15 A
2.1 V
= 55 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 90 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 33
Clamped inductive load, L = 300 H
15
8
48
A
A
A
I
= 24
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
V
ISOL
Weight
T
C
= 25 C
55
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
Isolation Voltage
2500
V
5
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
C
98663A (07/00)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
GE
= V
GE
600
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
200
1.5
A
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
2.1
2.7
V
Features
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Low collector to tab capacitance
(<35pF)
3rd generation HDMOS
TM
process
V
Rugged polysilicon gate cell structure
Applications
PFC circuits
AC motor control
Switched-mode and resonant-mode
power supplies, UPS, no screws, or
isolation foils
DC choppers
Advantages
Easy assembly
Low capacitance to ground, low EMI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR24N60C Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXGR32N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR16N170AH1 功能描述:IGBT 晶體管 8 Amps 1700V 5.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR24N120C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 1200V 2.75 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR24N120C3H1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 45 Amps 600 V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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