參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR24N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
中文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 56K
代理商： IXGR24N60C
2002 IXYS All rights reserved
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.5 V
t
fi(typ)
=
= 600 V
= 42 A
60 ns
HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
TM
(Electrically Isolated Back Surface)
Preliminary data sheet
ISOPLUS 247
E153432
G = Gate,
E = Emitter
C = Collector
* Patent pending
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
600
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±
20
±
30
V
V
I
C25
I
C110
I
CM
T
C
= 25
°
C
T
C
= 110
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
42
22
80
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
= 22
Clamped inductive load, L = 100
μ
H
I
= 48
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
80
W
T
J
T
JM
T
stg
-40 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-40 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
V
ISOL
50/60 Hz, RMS, t = 1minute leads-to-tab 2500
V
Weight
5
g
GCE
Isolated Backside*
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
I
C
= 250
μ
A, V
GE
= 0 V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
2.5
5.0
V
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
200
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
=
I
T
, V
GE
= 15 V (see note 1)
2.1
2.5
V
Features
DCB Isolated mounting tab
Meets TO-247AD package Outline
High current handling capability
Latest generation HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
Easy assembly
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
IXGR 24N60C
98706 (02/02)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR32N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
IXGR40N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60C HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR24N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 600 V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N170AH1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1700V 5.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N170H1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1700V 5.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N60C 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 DISCRETE IGBT 600V 45 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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