參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR24N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:24; Connector Shell Size:24; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
中文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 56K
代理商： IXGR24N60C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
T
; V
CE
= 10 V,
9
17
S
C
ies
C
oes
C
res
1500
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
120
pF
40
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
55
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
nC
17
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
15
ns
25
ns
75
140
ns
60
110
ns
0.24
0.36
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
ns
12
ns
0.15
mJ
130
ns
110
ns
0.6
mJ
R
thJC
R
thCK
1.57
K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 18
Remarks: Switching times may increase
for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Note:
1.
I
T
= 24A
ISOPLUS 247 OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXGR 24N60C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR32N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGR40N60BD1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
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IXGR40N60CD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR24N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 42 Amps 600 V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N170AH1 功能描述:IGBT 晶體管 17 Amps 1700V 5.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXGR32N60C 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 DISCRETE IGBT 600V 45 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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