參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR40N60CD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 262K
代理商： IXGR40N60CD1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXGR 40N60C
IXGR 40N60CD1
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
30
40
S
C
ies
3300
310
370
65
pF
pF
pF
pF
6/
C
oes
C
res
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
6/7
Q
g
Q
ge
Q
gc
116
23
55
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
25
30
ns
ns
ns
ns
100
75
150
150
E
off
0.85
1.70
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
25
35
0.4
1.2
150
105
1.2
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
40N60C
E
off
R
thJC
R
thCK
0.6 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 40N60CD1
Remarks: Switching times may increase for
V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
#,-.-,/
!
!
"
"
#
$
%&'(()
!(*')
(((
+&0 *0" 1234/540"
%&'&'
+
@ 45!) ,
(
)(
(
I
T
@
@
$
$
/
I
T
@
$
& . .
& . .
$
$A B.%
Note:
$
t
p
:!:!C
D
2. I
T
= 40A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR50N60B HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR50N60BD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR60N60C2 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C2D1 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60U1 LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR45N120 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200 V 3.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR48N60B3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGR48N60B3D1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR48N60B3D4A 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR48N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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