參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR60N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大小： 612K
代理商： IXGR60N60C2D1
2004 IXYS All rights reserved
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
ISOPLUS247
(IXGR)
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
600
3.0
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= V
V
GE
= 0 V
GR60N60C2
GR60N60C2D1
50
650
μ
A
μ
A
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= ±20 V
±100
nA
V
CE(sat)
I
Note 1
= 50 A, V
GE
= 15 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2.3
2.0
2.7
V
V
HiPerFAST
TM
IGBT
ISOPLUS247
TM
Lightspeed 2
TM
Series
(Electrically Isolated Back Surface)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25°C to 150°C
= 25°C to 150°C; R
GE
= 1 M
600
600
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±20
±30
V
V
I
C25
I
C110
I
F110
I
CM
T
C
T
C
T
C
T
C
= 25°C (limited by leads)
= 110°C
= 110°C (IXGR60N60C2D1)
= 25°C, 1 ms
75
48
39
A
A
A
A
300
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125°C, R
G
= 10
Clamped inductive load @ V
CE
≤
600 V
I
CM
= 100
A
P
C
T
C
= 25°C
250
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°C
°C
°C
150
-55 ... +150
V
ISOL
50/60 Hz RMS, t = 1m
2500
V
Weight
5
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°C
DS99051D(05/04)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi(typ)
= 600
= 75 A
= 2.7
= 35 ns
V
V
(ISOLATED TAB)
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
Features
z
DCB Isolated mounting tab
z
Meets TO-247AD package Outline
z
High current handling capability
z
Latest generation HDMOS
TM
process
z
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
z
Uninterruptible power supplies (UPS)
z
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
z
AC motor speed control
z
DC servo and robot drives
z
DC choppers
Advantages
z
Easy assembly
z
High power density
z
Very fast switching speeds for high
frequency applications
IXGR_C2
IXGR_C2D1
Preliminary Data Sheet
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR60N60U1 LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGT16N170A High Voltage IGBT
IXGH14N170A High Voltage IGBT
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
IXGX40N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR60N60C2G1 功能描述:IGBT 75A 600V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGR60N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR64N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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