參數(shù)資料
型號： IXGR50N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 573K
代理商： IXGR50N60B
2004 IXYS All rights reserved
200
600
-di
F
/dt
1000
0
400
800
A/
s
80
90
100
110
120
130
140
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
40
80
120
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
K
f
T
VJ
°C
t
s
K/W
0
200
400
600
di
F
/dt
800
A/
μ
s
1000
0
5
10
15
20
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
FR
V
200
600
1000
0
400
800
A/
s
0
20
40
60
80
100
1000
0
1000
2000
3000
4000
0
1
2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
A
I
RM
Q
r
I
F
V
F
-di
F
/dt
-di
F
/dt
A
V
nC
t
rr
ns
t
fr
A/
μ
s
μ
s
DSEP 2x61-06A
Z
thJC
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
I
F
= 60A
Fig. 14
Peak reverse current I
RM
versus -di
F
/dt
Fig. 13
Reverse recovery charge Q
r
versus -di
F
/dt
Fig. 12
Forward current I
F
versus V
F
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
Q
r
I
RM
Fig. 15
Dynamic parameters Q
r
, I
RM
versus T
VJ
Fig. 16
Recovery time t
rr
versus -di
F
/dt
Fig. 17
Peak forward voltage V
FR
and
t
fr
versus di
F
/dt
I
F
=120A
I
F
= 60A
I
F
= 30A
t
fr
V
FR
Fig. 18
Transient thermal resistance junction to case
Constants for Z
thJC
calculation:
i
R
thi
(K/W)
0.3073
0.3533
0.0887
0.1008
t
i
(s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0399
1
2
3
4
T
VJ
= 25°C
T
VJ
=150°C
T
VJ
=100°C
IXGR 50N60B
IXGR 50N60BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR50N60BD1 HiPerFAST IGBT ISOPLUS247
IXGR60N60C2 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60C2D1 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60U1 LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGT16N170A High Voltage IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR50N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR50N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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