參數(shù)資料
型號： IXGR60N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 612K
代理商： IXGR60N60C2
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
R
thJ-DCB
R
thJC
R
thCS
(Note 2)
(Note 3)
0.25
K/W
0.50 K/W
0.15
K/W
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Note 1
= 50 A; V
CE
= 10 V,
40
55
S
C
ies
C
oes
3900
280
320
pF
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60N60C2
60N60C2D1
C
res
97
Q
g
Q
ge
Q
gc
140
28
35
nC
nC
nC
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
95
35
ns
ns
ns
ns
mJ
150
0.49
0.8
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
18
25
1.6
130
80
0.92
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
Inductive load, T
J
= 25°C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 2.0
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= 50 A, V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V, R
G
= R
off
= 2.0
Note 1: Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
2: R
thJ-DCB
is the thermal resistance junction-to-internal side of DCB substrate
3: R
thJC
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
ISOPLUS 247 Outline
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 60 A, V
GE
= 0 V,
Note 1
2.0
1.39
V
T
J
= 150°C
I
RM
I
F
= 60 A, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/
μ
T
J
= 100°C
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
8.3
A
t
rr
35
ns
R
thJC
0.85 K/W
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR60N60C2D1 Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
IXGR60N60U1 LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGT16N170A High Voltage IGBT
IXGH14N170A High Voltage IGBT
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR60N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60C2G1 功能描述:IGBT 75A 600V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGR60N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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