參數(shù)資料
型號(hào)： IXGR60N60C2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Lightspeed 2TM Series (Electrically Isolated Back Surface)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 612K
代理商： IXGR60N60C2D1
2004 IXYS All rights reserved
IXGR 60N60C2
IXGR 60N60C2D1
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
1
15
2
2.5
V
CE
- Volts
3
3.5
4
4.5
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
9V
5V
7V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
15
2
2.5
3
3.5
V
CE
- Volts
I
C
V
G E
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 6. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GE
- Volts
6
6.5
7
7.5
8
8.5
I
C
T
J
= 125
o
C
25
o
C
-40
o
C
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
11
12
25
50
75
100
125
150
T
J
- Degrees Centigrade
V
C
I
C
= 100A
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
G E
= 15V
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emiiter voltage
1
15
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
GE
- Volts
V
C
T
J
= 25
o
C
I
C
= 100A
50A
25A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR60N60U1 LowV-CE(sat) IGBT with Diode ISOPLUS247-TM (Electrically Isolated Back Surface)
IXGT16N170A High Voltage IGBT
IXGH14N170A High Voltage IGBT
IXGT28N30 HiPerFAST IGBT
IXGX40N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR60N60C2G1 功能描述:IGBT 75A 600V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGR60N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60C3D1 功能描述:IGBT 晶體管 60 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR60N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR64N60A3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
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