參數(shù)資料
型號(hào)： IXGT30N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 586K
代理商： IXGT30N60B2
2003 IXYS All rights reserved
IXGH 30N60B2
IXGT 30N60B2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
50
100
150
200
250
300
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
5V
7V
9V
11V
13V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.5
1
1.5
V
CE
- Volts
2
2.5
3
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 24A
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
I
C
= 48A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3
3.3
3.6
3.9
4.2
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 48A
24A
12A
Fig. 6. Input Admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= -40oC
25oC
125oC
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IXGT30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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