參數(shù)資料
型號： IXGT30N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述： 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： D3PAK-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： IXGT30N60BD1
2002 IXYS All rights reserved
Fig. 1. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
200
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
Fig. 3. Saturation Voltage Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
1.6
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Temperature Dependence of BV
DSS
& V
GE(th)
10000
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
T
J
= 25°C
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
T
J
=
150°C
C
rss
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
C
iss
C
oss
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
7V
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
5V
7V
IXGH 30N60BU1
IXGT 30N60BU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60B HiPerFASTTM IGBT
IXGH31N60D1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的絕緣柵雙極晶體管(帶二極管))
IXGH31N60U1 Ultra-Low VCE(sat) IGBT with Diode
IXGH31N60 Ultra-Low VCE(sat) IGBT
IXGH32N170 High Voltage IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGT30N60BU1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT with Diode
IXGT30N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGT30N60C3D1 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT with Diode
IXGT31N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Ultra-Low VCE(sat) IGBT
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