參數(shù)資料
型號： IXGT60N60B2
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Optimized for 10-25 kHz hard switching and up to 100 KHz resonant switching
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 581K
代理商： IXGT60N60B2
2003 IXYS All rights reserved
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
50
100
150
200
250
300
350
0
1
2
3
5
6
7
8
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
5V
7V
9V
11V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
1.5
V
CE
- Volts
2
2.5
3
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
C E
- Volts
I
C
V
GE
= 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat)
on
Temperature
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
T
J
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
V
C
-
I
C
= 50A
I
C
= 25A
V
GE
= 15V
I
C
= 100A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter voltage
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
11
12
13
14
15
16
17
V
C
T
J
= 25oC
I
C
= 100A
50A
25A
Fig. 6. Input Admittance
0
50
100
150
200
250
300
4
5
6
7
8
9
10
V
G E
- Volts
I
C
T
J
= 125oC
-40oC
T
J
= 25oC
IXGH 60N60B2
IXGT 60N60B2
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PDF描述
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