參數(shù)資料
型號(hào)： IXR100
英文描述： IXR100 - DISCONTINUED PRODUCT. No longer recommended for new design.
中文描述： IXR100 -已停產(chǎn)產(chǎn)品。不再推薦用于新設(shè)計(jì)。
文件頁數(shù)： 12/14頁
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代理商： IXR100
IXR100
12
FIGURE 11. Thermocouple Input with Diode Cold Junction Compensation and Down Scale Burn-out Indication.
FIGURE 10. Thermocouple Input Circuit with Two Temperature Regions and Diode (D) Cold Junction Compensation.
–
+
R
S
+
–
IXR100
3.9k
0.4mA
50
100
Zero Adjust
0.4mA
This circuit has down
scale burn-out indication.
Type J
3.9k
3
7
6
2
5
0.01μF
1
D
1N4148
R
L
–
+
V
OUT
+V
S
4-20mA
4
1
28
18
+V
S
+
–
IXR100
0.4mA
0.4mA
100
–
+
3.9k
3.74k
R
5
R
6
V
IN+
–
3
5
2
R
4
V
4
0.01μF
V
TC
Thermocouple
T
Temperature T
1
Temperature T = T
D
+
I
OUT
7
6
R
S
153.9
+
–
–
+
1N4148
43.2
V
D
–
+
V
IN–
4
1
28
18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSA12N60AU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA
IXSE502PI Servo Encoder
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參數(shù)描述
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IXRFD630 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER MOSFET 30A DE275 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER, MOSFET, 30A, DE275
IXRH40N120 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXRH50N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability
IXRH50N120 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability
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