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參數(shù)資料
| 型號： | IXR100 |
| 英文描述： | IXR100 - DISCONTINUED PRODUCT. No longer recommended for new design. |
| 中文描述： | IXR100 -已停產(chǎn)產(chǎn)品。不再推薦用于新設(shè)計。 |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IXR100 |
IXR100
14
FIGURE 15. 4-20mA to 0-20mA Output Converter.
IXR100
OPA177
REF200
100μA
400
R
1
I
IN
R
2
100
R
3
19.5k
0.01μF
–V
S
V
IN
2
3
4-20mA
NOTE: (1) Other conversions are readily achievable by changing the
R
1
, R
2
, and R
3
ratios (see Burr-Brown Application Bulletin AB-031).
I
O
= I
IN
(I + R
R
(R
1
+ R
2
+ R
3
)/R
1
= 1.25I
IN
– 5mA
(1)
1
R
2
0-20mA
I
O
+V
S
–V
S
I
R
COM
1
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSA12N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA |
| IXSE502PI | Servo Encoder |
| IXSE503PC | Servo Encoder |
| IXSE503PI | Servo Encoder |
| IXSE501DC | Servo Encoder |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXRB5-506MINIPACK2 | 功能描述:IGBT 模塊 MiniPack 2 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXRFD630 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER MOSFET 30A DE275 制造商:IXYS Corporation 功能描述:DRIVER, MOSFET, 30A, DE275 |
| IXRH40N120 | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXRH50N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability |
| IXRH50N120 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Reverse Blocking capability |
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