參數(shù)資料
型號： IXSA10N60B2D1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXSA10N60B2D1
Fig. 14. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Q
G
- nanoCoulombs
V
G
V
CE
= 300V
I
C
= 10A
I
G
= 10mA
Fig. 15. Capacitance
1
10
100
1000
0
5
10
15
V
C E
- Volts
20
25
30
35
40
C
C
ies
C
oes
C
res
f = 1 MHz
Fig. 13. Dependence of Turn-off
Switching Time on Temperature
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
340
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
T
J
- Degrees Centigrade
S
t
d(off)
t
fi
- - - - - -
R
G
= 30
V
GE
= 15V
V
CE
= 480V
I
C
= 5A
20A
I
C
= 10A
I
C
= 20A
5A
Fig. 16. Reverse-Bias Safe
Operating Area
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
100 150
200 250 300
350 400 450 500
V
C E
- Volts
550 600
I
C
T
J
= 125
o
C
R
G
= 82
dV/dT < 10V/ns
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Resistance
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
(
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSP10N60B2D1 High Speed IGBT with Diode
IXSA12N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode(VCE(sat)典型值為2.5V絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSH10N120AU1 IGBT with Diode
IXSH10N60 High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH10N60A High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSA12N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 24A I(C) | TO-263AA
IXSA15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSA16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH 24N60AU1 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
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