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參數(shù)資料
| 型號： | IXSH10N60A |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Speed IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| 中文描述： | 20 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | IXSH10N60A |
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXSH10N60
IXSH10N60A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSH15N120A | IGBT |
| IXSH15N120BD1 | S Series - Improved SCSOA Capability |
| IXST15N120BD1 | S Series - Improved SCSOA Capability |
| IXSH15N120AU1 | IGBT with Diode |
| IXSH15N120B | High Voltage IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSH10N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH15N120A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT |
| IXSH15N120AU1 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode |
| IXSH15N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSH15N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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