參數(shù)資料
型號： IXSH24N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFASTTM IGBT with Diode
中文描述： 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 37K
代理商： IXSH24N60AU1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
9
13
S
I
C(on)
C
ies
C
oes
C
res
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
65
A
1800
200
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
45
75
20
35
90
30
50
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
100
200
450
500
275
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
24N60U1
24N60AU1
24N60AU1
E
off
2
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
100
200
1.8
475
600
450
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
24N60U1
24N60AU1
24N60U1
24N60AU1
E
off
4
3
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
0.25
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
1.6
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 240 A/ s
V
= 360 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 100 A/ s; V
R
= 30 V T
J
=
10
15
A
T
J
= 125 C 150
ns
ns
25 C
35
50
R
thJC
1 K/W
Inductive load, T
= 25 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
= 0.8 V
, R
= R
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
= 125 C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
TO-247 AD (IXSH) Outline
Dim. Millimeter
Min.
Inches
Min.
Max.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780 0.800
0.819 0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610 0.640
0.140 0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170 0.216
0.212 0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065 0.084
-
-
0.177
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040 0.055
0.426 0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185 0.209
0.016 0.031
N
1.5
2.49
0.087 0.102
IXSH 24N60U1
IXSH 24N60AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關PDF資料
PDF描述
IXSH24N60U1 HiPerFASTTM IGBT with Diode
IXSH24N60 HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.2V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH24N60A HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為2.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXSH25N100A Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場效應管)
IXSH25N100 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH24N60AU1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
IXSH24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 600V48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH24N60U1S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-263VAR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*