參數資料
型號： IXSH25N100A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為4.0V的高速絕緣柵雙極場效應管)
中文描述： 50 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數： 4/6頁
文件大小： 102K
代理商： IXSH25N100A
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXSH 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
IXSM 25N100
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.010
0.100
1.000
Single Pulse
D = Duty Cycle
D=0.2
D=0.1
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
I
C
0.01
0.1
1
10
100
Q
G
- nanocoulombs
0
25
50
75
100
125
150
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10 20
30
40
50 60
70
80
90 100
t
f
0
300
600
900
1200
1500
E
o
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
10
15
20
25
30
35
40
45
50
E
o
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
t
f
0
300
600
900
1200
1500
E
off
t
fi
T
J
= 125°C
R
G
= 10
T
J
= 125°C
I
C
= 25A
V
CE
= 500V
I
C
= 25A
T
J
= 125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 6V/ns
D=0.01
D=0.5
D=0.05
D=0.02
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10
Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關PDF資料
PDF描述
IXSH25N100 Low VCE(sat) High Speed IGBT(VCE(sat)為3.5V的高速絕緣柵雙極場效應管)
IXSM25N100 Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSM25N100A Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH25N120AU1 IGBT with Diode
IXSH25N120A IGBT
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參數描述
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IXSH25N120AU1 功能描述:IGBT 晶體管 S-SERIE MED SPD IGBT FREEWHEELING 200V50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH30N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
IXSH30N60A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
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