型號: | IXSH25N120AU1 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | IGBT with Diode |
中文描述: | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
封裝: | TO-247, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 36K |
代理商: | IXSH25N120AU1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXSH25N120A | IGBT |
IXSH30N60BD1 | High Speed IGBT with Diode(VCES為600V,VCE(sat)為2.0V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶二極管)) |
IXSH30N60B | High Speed IGBT |
IXSH30N60C | High Speed IGBT |
IXST30N60B | High Speed IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXSH30N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
IXSH30N60A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
IXSH30N60AU1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSH30N60B | 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSH30N60B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |