型號(hào): | IXSH35N100A |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | High speed IGBT |
中文描述: | 70 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
封裝: | TO-247AD, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
文件大小: | 80K |
代理商: | IXSH35N100A |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXSM35N100A | High speed IGBT |
IXSH35N120A | High Voltage, High speed IGBT |
IXSH35N120B | IGBT |
IXST35N120B | IGBT |
IXSH35N135A | High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1350V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXSH35N120A | 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 1200V, 70A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSH35N120B | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSH35N135A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD |
IXSH35N140A | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1400V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXSH40N60 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 75A TO247AD |