參數(shù)資料
型號： IXSH35N135A
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.35KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.35KV五（巴西）國際消費電子展|第70A一（c）|采用TO - 247AD
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代理商： IXSH35N135A
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PDF描述
IXSM35N100 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 35A I(C) | TO-204AE
IXSH50N60BS TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247SMD
IXSK40N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
IXSX40N60BD1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247AD
IXSK50N60BU1 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-264AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N140A 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1400V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 75A TO247AD
IXSH40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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