參數(shù)資料
型號(hào)： IXSH35N135A
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1350V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 70 A, 1400 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 69K
代理商： IXSH35N135A
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXSH 35N135A
IXSH 35N140A
TO-247 AD Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t ￡ 300 ms, duty cycle d ￡ 2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
26
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
210
A
C
ies
C
oes
C
res
4150
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
235
pF
55
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
165
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
45
nC
75
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
40
ns
60
ns
200
400
ns
400
750
ns
12
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
40
ns
65
ns
4
mJ
200
ns
800
ns
18
mJ
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.25
K/W
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
Inductive load, T
J
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 960 V, R
G
= 2.7
Switching times may increase for
V
(Clamp) > 960 V, higher T
J
or increased R
G
= 25
°
C
Inductive load, T
J
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 960 V, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 960 V,
higher T
J
or increased R
G
= 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH35N140A High Voltage,High Speed IGBT(VCES為1400V的高電壓高速絕緣柵雙極晶體管)
IXSH40N60 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:28; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXSH40N60B Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; No. of Contacts:54; Connector Shell Size:32; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Right Angle Plug; Body Style:Right Angle
IXST40N60B OSC 5V SMT PLAS 14X9 CMOS
IXSH45N120B High Voltage IGBT(VCES為1200V，VCE(sat)為3.0V的高電壓絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSH35N140A 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1400V 4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 75A TO247AD
IXSH40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSH40N60B2D1 功能描述:IGBT HS W/DIODE 600V 48A TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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