參數(shù)資料
型號(hào)： IXSM40N60
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： IXSM40N60
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS Corporation. All rights reserved.
IXSH 40N60
IXSH 40N60A
IXSM 40N60
IXSM 40N60A
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
10
20
30
40
50
60
80
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125
150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
11V
7V
9V
13V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 80A
V
GE
=15V
CE
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= - 40°C
V
GE8th)
I
C
= 4mA
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6
Temperature Dependence of
Breakdown and
Threshold Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2
Output Characterstics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSM45N100 Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSH45N100 Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSN35N100U1 IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability
IXSN35N120AU1 High Voltage IGBT with Diode
IXSN50N60BD2 High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSM40N60A 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSM45N100 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSN30N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B
IXSN35N100AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C)
IXSN35N100U1 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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