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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXSM40N60 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AE |
| 文件頁數(shù)： | 6/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | IXSM40N60 |
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: 408-982-0700, Fax: 408-496-0670
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSM45N100 | Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSH45N100 | Low VCE(sat) IGBT(VCES為1000V，VCE(sat)為2.7V的絕緣柵雙極晶體管) |
| IXSN35N100U1 | IGBT with Diode - High Short Circuit SOA Capability |
| IXSN35N120AU1 | High Voltage IGBT with Diode |
| IXSN50N60BD2 | High Speed IGBT with HiPerFRED(VCES為600V，VCE(sat)為2.5V的高速絕緣柵雙極晶體管(帶Hiper快速恢復(fù)外延型二極管)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSM40N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 40 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSM45N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability |
| IXSN30N100AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 34A I(C) | SOT-227B |
| IXSN35N100AU1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 80A I(C) |
| IXSN35N100U1 | 功能描述:IGBT 晶體管 35 Amps 1000V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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