參數(shù)資料
型號(hào)： IXSN55N120AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with Diode(高電壓帶二極管的絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 110 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： IXSN55N120AU1
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
= I
; V
= 10 V,
32
45
S
I
C(on)
V
CE
= 10 V, V
GE
= 15 V
340
A
C
ies
C
oes
C
res
8000
590
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
90
Q
g
Q
ge
Q
gc
300
80
140
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
140
220
400
700
18
ns
ns
ns
ns
mJ
1000
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
t
c
E
on
E
off
140
250
600
900
950
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
6
25
R
thJC
R
thCK
0.25 K/W
0.05
K/W
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t 300 s, duty cycle d 2 %
2.55
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 480 A/ s
V
= 540 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
32
300
40
36
A
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
ns
ns
60
R
thJC
0.71 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125 C
I
C
= I
, V
= 15 V,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 2.7
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
M4 screws (4x) supplied
Dim.
Millimeter
Min.
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
38.00
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
Inches
Min.
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.496
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
Max.
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.23
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
Max.
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
miniBLOC, SOT-227 B
IXSN 55N120AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN55N120 High Voltage IGBT
IXSN55N120A High Voltage IGBT
IXSN62N60U1 IGBT with Diode - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60AU1 IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXSN80N60A High Current IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為3V的大電流絕緣柵雙極晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN55N120U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 83A I(C) | SOT-227B
IXSN62N60AU1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 90A I(C) | SOT-227B
IXSN62N60U1 功能描述:IGBT 晶體管 90 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSN80N60A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Current IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSN80N60AU1 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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