參數(shù)資料
型號： IXSX50N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 138K
代理商： IXSX50N60AU1
1997 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
11V
7V
9V
13V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
I
C
= 80A
V
GE
=15V
V
CE
= 10V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= - 40°C
V
GE8th)
I
C
= 4mA
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4
Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5 Input Admittance
Fig.6
Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1 Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
IXSX50N60AU1
IXSX50N60AU1S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSX50N60AU1S IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N055P PolarHT Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSX50N60AU1S 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
IXSX50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXT-1-1N100S1 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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