參數(shù)資料
型號(hào)： IXTA50N20P
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 50 A, 200 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 589K
代理商： IXTA50N20P
2004 IXYS All rights reserved
IXTA 50N20P IXTP 50N20P
IXTQ 50N20P
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
D S
- Volts
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
2
4
6
8
V
D S
- Volts
10
12
14
16
18
20
I
D
V
GS
= 10V
7V
6V
8V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150
o
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
1
2
3
V
D S
- Volts
4
5
6
7
8
I
D
V
GS
= 10V
9V
5V
6V
7V
8V
Fig. 4. R
DS(on
)
Norm alized to 0.5 I
D25
Value vs. Junction Tem perature
0.4
0.7
1
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
3.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- Degrees Centigrade
R
D
I
D
= 50A
I
D
= 25A
V
GS
= 10V
Fig. 5. R
DS(on)
Norm alize d to
0.5 I
D25
Value vs. I
D
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
D
- Amperes
R
D
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
V
GS
= 10V
T
J
= 175oC
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
-50
-25
0
T
C
- Degrees Centigrade
25
50
75
100
125
150
175
I
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTP50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTP62N15P PolarHT Power MOSFET
IXTQ62N15P PolarHT Power MOSFET
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參數(shù)描述
IXTA50N25T 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA50N28T 制造商:IXYS Corporation 功能描述:
IXTA52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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