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參數(shù)資料
| 型號： | IXTA8N50P |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| 中文描述： | 8 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | IXTA8N50P |
2006 IXYS All rights reserved
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.10
1.00
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
R
(
o
C
IXYS REF: T_8N50P (37) 03-21-06-A.XLS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP8N50P | PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTB30N100L | Power MOSFETs with Extended FBSOA |
| IXTN30N100L | Power MOSFETs with Extended FBSOA |
| IXTC13N50 | Power MOSFET ISOPLUS220 |
| IXTC26N50P | PolarHV Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXTA8PN50P | 功能描述:MOSFET 8.0 Amps 500 V 0.8 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTA90N055T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTA90N055T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTA90N075T2 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXTA90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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