參數(shù)資料
型號： IXTC26N50P
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： PolarHV Power MOSFET
中文描述： 15 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 571K
代理商： IXTC26N50P
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXTC 26N50P
Fig. 11. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
V
D S
- Volts
20
25
30
35
40
C
Ciss
Coss
Crss
f = 1MHz
Fig. 10. Gate Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
Q
G
- nanoCoulombs
40
50
60
70
80
90
100
V
G
V
DS
= 250V
I
D
= 13A
I
G
= 10mA
Fig. 7. Input Admittance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
V
G S
- Volts
I
D
T
J
= 125oC
25oC
-40oC
Fig. 8. Transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I
D
- Amperes
g
f
T
J
= -40oC
25oC
125oC
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
0
10
20
30
40
50
60
70
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
S D
- Volts
I
S
T
J
= 125oC
T
J
= 25oC
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
0.1
1
10
100
10
100
1000
V
D S
- Volts
I
D
100μs
1ms
DC
T
J
= 150oC
T
C
= 25oC
R
DS(on)
Limit
10ms
25μs
相關PDF資料
PDF描述
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻1.20Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
IXTH12N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻1.05Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
IXTH10P50 P-Channel Enhancement Mode Standard Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓-500V,導通電阻0.90Ω的P溝道增強型標準功率MOSFET)
IXTH10P60 Standard Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXTC280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC62N15P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC75N10 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*