參數(shù)資料
型號(hào): IXTC26N50P
廠商: IXYS CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: PolarHV Power MOSFET
中文描述: 15 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 571K
代理商: IXTC26N50P
2004 IXYS All rights reserved
IXTC 26N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
0.01
0.10
1.00
10.00
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH10N100 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻1.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTM10N100 MegaMOS FET
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IXTH10P60 Standard Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IXTC36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC62N15P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTC72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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