參數(shù)資料
型號(hào)： IXTH12N120
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
中文描述： 12 A, 1200 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 553K
代理商： IXTH12N120
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 20 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
6
10
S
C
iss
C
oss
C
rss
3400
280
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
105
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
24
25
35
ns
ns
ns
V
GS
R
G
= 1.5
(External)
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, 0.5 I
D25
17
ns
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
95
22
50
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.25
K/W
0.25
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
12
A
I
SM
Repetitive; pulse width limited by T
JM
48
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
850
ns
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
TO-247 AD Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
1 2 3
IXTH 12N120
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
of the following U.S. patents:
4,850,072
4,835,592
4,931,844
4,881,106
5,034,796
5,017,508
5,063,307
5,049,961
5,237,481
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,404,065B1
6,306,728B1
6,162,665
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
6,534,343
6,583,505
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH12N50A Standard Power MOSFET
IXTM12N50A Standard Power MOSFET
IXTH12N90 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導(dǎo)通電阻0.90Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
IXTH14N100 MegaMOSTMFET
IXTH14N80 MegaMOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH12N140 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N150 功能描述:MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH12N45 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N45A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247
IXTH12N45MA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247(5)
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