參數(shù)資料
型號： IXTH13N110
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： MEGA MOS FET
中文描述： 13 A, 1100 V, 0.92 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： IXTH13N110
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 11N80
IXTM 11N80 IXTM 13N80
IXTH 13N80
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
V
DS
= 10 V; I
D
= 0.5 I
D25
, pulse test
8
14
S
C
iss
C
oss
C
rss
4500
310
65
pF
pF
pF
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V, f = 1 MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
20
33
63
32
50
50
ns
ns
ns
ns
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
(External)
100
50
Q
g(on)
Q
gs
Q
gd
145
30
55
170
45
80
nC
nC
nC
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
thJC
R
thCK
0.42
K/W
K/W
0.25
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
I
S
V
GS
= 0 V
11N80
13N80
11
13
A
A
I
SM
Repetitive;
pulse width limited by T
JM
11N80
13N80
44
52
A
A
V
SD
I
= I
, V
= 0 V,
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
1.5
V
t
rr
I
F
= I
S
, -di/dt = 100 A/
μ
s, V
R
= 100 V
800
ns
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
TO-247 AD (IXTH) Outline
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
Tab - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min.
6.4
Inches
Min.
.250
Max.
11.4
3.42
1.09
22.22
11.17
5.71
Max.
.450
.135
.043
.875
.440
.225
A
A1
b
D
e
e1
.97
.038
10.67
5.21
.420
.205
L
p
p1
q
R
R1
s
7.93
3.84
3.84
30.15 BSC
.312
.151
.151
1.187 BSC
4.19
4.19
.165
.165
13.33
4.77
17.14
.525
.188
.675
16.64
.655
TO-204AA (IXTM) Outline
Pins
1 - Gate
Case - Drain
2 - Source
1 2 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTH11P50 Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH12N120 Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N50A Standard Power MOSFET
IXTM12N50A Standard Power MOSFET
IXTH12N90 N-Channel Enhancement Mode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓900V,導通電阻0.90Ω的N溝道增強型MegaMOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXTH13N65 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
IXTH13N80 功能描述:MOSFET 13 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTH13N90 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
IXTH13P15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
IXTH13P20 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-218VAR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*